| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Япония |
| Год производства | 2001 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Да |
| Наличие аккредитации | Да |
| Наличие ГОСТированной методики | Да |
Описание
Прибор обеспечивает качественный и количественный фазовый анализ. Уточнение параметров кристаллической решетки. Оценка размера кристаллитов и величины микронапряжений в поликристаллах. Объекты исследований: теоретические исследования процессов в джозефсоновских структурах и устройствах на их основе;
разработка, проектирование и исследование цифровых сверхпроводниковых интегральных схем; разработка численных методов расчета индуктивностей и взаимных индуктивностей в многосвязных сверхпроводящих многослойных структурах; разработка рентгеновских методов диагностики многослойных эпитаксиальных сверхпроводящих структур; разработка сверхпроводниковых детекторов рентгеновского и ультрафиолетового излучений, исследование процессов в сверхпроводниковых наноструктурах и развитие технологии изготовления таких структур.
разработка, проектирование и исследование цифровых сверхпроводниковых интегральных схем; разработка численных методов расчета индуктивностей и взаимных индуктивностей в многосвязных сверхпроводящих многослойных структурах; разработка рентгеновских методов диагностики многослойных эпитаксиальных сверхпроводящих структур; разработка сверхпроводниковых детекторов рентгеновского и ультрафиолетового излучений, исследование процессов в сверхпроводниковых наноструктурах и развитие технологии изготовления таких структур.