На форуме «Микроэлектроника» рассказали о разработке отечественных фотолитографических материалов
Результаты работ Федерального исследовательского центра Проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук (ФИЦ ПХФ и МХ РАН) в области разработки материалов для микроэлектроники представили научные сотрудники лабораторий исследовательского центра. Об этом сообщает пресс-служба РАН.
Модератором научной сессии «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы» форума «Микроэлектроника 2024» выступили директор Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН член-корреспондент РАН Дмитрий Рощупкин и начальник отдела службы главного конструктора АО «НИИМЭ» Валерий Бокарев.
Так, например, о разработках в консорциуме с АО «НИИМЭ», АО «НИОПИК», АО «Микрон» и частной компанией из Нижнего Новгорода для фотолитографии с KrF-актиничным излучением, необходимых для изготовления интегральных схем с топологией 130-250 нм, рассказал заведующий Отделом полимеров и композиционных материалов ФИЦ ПХФ и МХ РАН Георгий Малков.
Перед учёными ФИЦ стояла задача проанализировать зарубежные фоторезисты-аналоги и на основе этих данных создать российский полимерный светочувствительный материал, характеристики которого будут соответствовать мировому уровню. «Нужно было наиболее точно воспроизвести параметры иностранных фоторезистов, чтобы их можно было использовать в текущих производственных процессах», — сказал докладчик.
В ходе работы были синтезированы полимерные основы, изучены их основные параметры, которые совпали с физико-химическими свойствами полимерных основ, выделенных из иностранных аналогов, отметил Георгий Малков. Полученные образцы передали компании-партнёру — АО «НИОПИК», который занялся тонкой «настройкой» составов фоторезистивных композиций. «Учитывая состав нашего полимера, нужно было максимально снизить скорость растворения плёнки фоторезиста в проявителе, достичь таких же пороговой дозы проявления и толщины, как у иностранного аналога», — добавил учёный.
Итогом совместной работы команды разработчиков стало заключение АО «Ммкрон» о высоком потенциале готовности применения разработанных композиций фоторезистов при изготовлении интегральных микросхем. «Разработки уже готовятся к переходу на следующий уровень — изготавливаются опытные партии, чтобы провести отработку на существующей технологической линии», — заключил Георгий Малков.
Тему продолжил старший научный сотрудник Отдела полимеров и композиционных материалов ФИЦ ПХФ и МХ РАН Владимир Курбатов и рассказал об анализе состава и разработке антиотражающих покрытий с рабочей длиной волны 248 нм.
«Микроэлектроника в условиях санкционной политики требует разработки собственных материалов. Как только доступ к зарубежным материалам перекрыли, оказалось, что подобных материалов в России нет. Поэтому в достаточно сжатые сроки встал вопрос их разработки и постановки на производство», — подчеркнул докладчик.
Исследователям нужно было синтезировать антиотражающее покрытие, которое позволяет обеспечить высокое качество линий и отверстий в слое фоторезиста после проявления и избавиться от таких негативных эффектов, как интерференция и переотражение, приводящих к неровностям края элементов.
В ходе работы был проведён анализ промышленно выпускаемого аналога антиотражающего покрытия, разработаны технологии синтеза полимерной основы и хромофора, разработана рабочая композиция и проведена её апробация в промышленных условиях.
«Свойства разработанных антиотражающих покрытий не отличаются от промышленных аналогов, которые использовались на реальных производственных линиях до того, как мы приступили к данной работе. Принято решение, что подобные композиции будут изготавливаться в виде опытных партий», — подытожил докладчик.
Результатами работы в области молекулярного дизайна фотогенераторов кислоты (ФГК), важных компонентов фоторезистов, поделился заведующий «молодёжной» Лабораторией фоточувствительных и электроактивных материалов Александр Аккуратов.