ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА НА ИХ СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Описана технология формирования тонких сегнетоэлектрических пленок циркона-та-титаната свинца (ЦТС) на окисленных кремниевых подложках методом высокочастотного реактивного распыления. Варьируемыми параметрами технологического процесса были: парциальное давление газа в камере, приложенная к электродам электрическая мощность и время формирования пленок. Методом рентгенофазового анализа определено количественное содержание кристаллической фазы в пленках ЦТС, а также влияние на это параметров технологического процесса. Наибольший вклад в количественное содержание кристаллов ЦТС в пленке вносит приложенная к электродам мощность. Методом растровой электронной микроскопии были проведены исследования механизма роста пленок ЦТС. Рост толщины сегнетоэлектрических пленок ЦТС составляет порядка 17 нм/мин и на поверхности окисленного кремния происходит по механизму Странски-Крастанова. Исследованы зависимости электрофизических свойств от технологических параметров формирования, а также зависимости значения угла диэлектрических потерь (∆φ) и величины поляризации от частоты поля.