ВЛИЯНИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
14 сентября 2018
222
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Статья |
Контактные данные автора публикации | БОГДАНОВ СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ЗАХАРОВ АНАТОЛИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, ПИСАРЕНКО ИВАН ВАДИМОВИЧ |
Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=18963633 |
Аннотация
Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.