ВЛИЯНИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

14 сентября 2018
135
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации БОГДАНОВ СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ЗАХАРОВ АНАТОЛИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, ПИСАРЕНКО ИВАН ВАДИМОВИЧ
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=18963633

Аннотация

Разработана математическая модель распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника при наличии в его запрещенной зоне глубоких энергетических уровней, обусловленных многозарядными примесными центрами. Результаты моделирования могут быть использованы для оценки ширины области пространственного заряда, прогнозирования наиболее вероятного механизма переноса носителей заряда в структуре металл-полупроводник с многозарядными глубокими энергетическими уровнями, а также величины барьерной емкости, что может найти применение при разработке приборов твердотельной электроники с улучшенными значениями отдельных параметров.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.