ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ РАМАНОВСКОГО УСИЛЕНИЯ В ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
14 сентября 2018
363
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | АКОПОВ АЛЕКСАНДР АНДРЕЕВИЧ |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=22016398 |
Аннотация
Исследована многослойная однородная металлодиэлектрическая структура рамановского усилителя оптических сигналов с чередующимися слоями активной металлической среды и диэлектрика - оптического фотонного кристалла. Активная среда возникает за счет эффекта вынужденного рамановского рассеяния на границе фотонной запрещающей зоны фотонного кристалла. Накачка производится на частоте Стокса для данной структуры. Продемонстрирована возможность эффективного сочетания однородной структуры и фотонного кристалла.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.