РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР INAS--GAAS С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ INAS
14 сентября 2018
267
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Статья |
Контактные данные автора публикации | ФАЛЕЕВ Н.Н., ПАВЛОВ К.М., ПУНЕГОВ В.И., ЕГОРОВ А.Ю., ЖУКОВ А.Е., КОВШ А.Р., МИХРИН С.С., УСТИНОВ В.М., TABUCHI M., TAKEDA Y. |
Ссылка на публикацию в интернете | journals.ioffe.ru/ftp/1999/11/p1359-1368.pdf |
Аннотация
Многослойные структуры InAs--GaAs с массивом вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии, были исследованы методами Crystal Truncation Rods и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Показано, что формирование в структурах рассеивающих объектов типа вертикально совмещенных квантовых точек существенно влияет на механизм дифракционного рассеяния рентгеновского излучения, меняет пространственное распределение дифрагируемого излучения. Это объясняется появлением в периодических структурах дополнительного дальнего порядка в латеральном расположении рассеивающих объектов, изгибом кристаллографических плоскостей в периодической части структуры и квазипериодичностью деформационного рельефа, обусловленного вертикально связанными квантовыми точками. Наблюдаемое пространственное распределение дифрагируемой интенсивности качественно объясняется в рамках новой модели, в которой рассеивающие слои с квантовыми точками состоят из бездефектных, когерентно сопряженных кластеров InAs и GaAs.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.