РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР INAS--GAAS С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ INAS

14 сентября 2018
176
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ФАЛЕЕВ Н.Н., ПАВЛОВ К.М., ПУНЕГОВ В.И., ЕГОРОВ А.Ю., ЖУКОВ А.Е., КОВШ А.Р., МИХРИН С.С., УСТИНОВ В.М., TABUCHI M., TAKEDA Y.
Ссылка на публикацию в интернете journals.ioffe.ru/ftp/1999/11/p1359-1368.pdf

Аннотация

Многослойные структуры InAs--GaAs с массивом вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии, были исследованы методами Crystal Truncation Rods и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Показано, что формирование в структурах рассеивающих объектов типа вертикально совмещенных квантовых точек существенно влияет на механизм дифракционного рассеяния рентгеновского излучения, меняет пространственное распределение дифрагируемого излучения. Это объясняется появлением в периодических структурах дополнительного дальнего порядка в латеральном расположении рассеивающих объектов, изгибом кристаллографических плоскостей в периодической части структуры и квазипериодичностью деформационного рельефа, обусловленного вертикально связанными квантовыми точками. Наблюдаемое пространственное распределение дифрагируемой интенсивности качественно объясняется в рамках новой модели, в которой рассеивающие слои с квантовыми точками состоят из бездефектных, когерентно сопряженных кластеров InAs и GaAs.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.