РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР INAS--GAAS С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ INAS

Многослойные структуры InAs--GaAs с массивом вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии, были исследованы методами Crystal Truncation Rods и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Показано, что формирование в структурах рассеивающих объектов типа вертикально совмещенных квантовых точек существенно влияет на механизм дифракционного рассеяния рентгеновского излучения, меняет пространственное распределение дифрагируемого излучения. Это объясняется появлением в периодических структурах дополнительного дальнего порядка в латеральном расположении рассеивающих объектов, изгибом кристаллографических плоскостей в периодической части структуры и квазипериодичностью деформационного рельефа, обусловленного вертикально связанными квантовыми точками. Наблюдаемое пространственное распределение дифрагируемой интенсивности качественно объясняется в рамках новой модели, в которой рассеивающие слои с квантовыми точками состоят из бездефектных, когерентно сопряженных кластеров InAs и GaAs.