ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МАТРИЦЫ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДАМИ ЗОНДОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ

14 сентября 2018
268
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Авилов В.И., Агеев О.А., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А., Цуканова О.Г.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=21446256

Аннотация

Представлены результаты исследования макета матрицы мемристоров на основе оксидных наноразмерных структур (ОНС) титана, изготовленного методами фокусированных ионных пучков и атомно-силовой микроскопии (АСМ). Показано влияние интенсивности взаимодействия зонда АСМ с поверхностью образца на мемристорный эффект в ОНС титана. Исследован мемристорный эффект ОНС титана методом АСМ в режиме отображения сопротивления растекания. Показана возможность записи-стирания информации в субмикронных ячейках на основе использования мемристорного эффекта в ОНС титана, что наиболее перспективно при разработке технологических процессов формирования элементов резистивной оперативной памяти.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.