ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МАТРИЦЫ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДАМИ ЗОНДОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ

Представлены результаты исследования макета матрицы мемристоров на основе оксидных наноразмерных структур (ОНС) титана, изготовленного методами фокусированных ионных пучков и атомно-силовой микроскопии (АСМ). Показано влияние интенсивности взаимодействия зонда АСМ с поверхностью образца на мемристорный эффект в ОНС титана. Исследован мемристорный эффект ОНС титана методом АСМ в режиме отображения сопротивления растекания. Показана возможность записи-стирания информации в субмикронных ячейках на основе использования мемристорного эффекта в ОНС титана, что наиболее перспективно при разработке технологических процессов формирования элементов резистивной оперативной памяти.