ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ МЕТОДОМ ФОКУСИРОВАННЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ

Представлены результаты экспериментальных исследований разрешающей способности и точности наноразмерного профилирования методом фокусированных ионных пучков. Для подложки кремния КДБ-10 (100) получены зависимости разрешающей способности ионно-лучевого травления от тока пучка. Установлено, что наилучшая разрешающая способность при травлении кремния, определяемая средней толщиной вытравленной линии, составляет 15–52 нм при значениях тока ионного пучка 1–30 пА. Показано, что точность формирования топологического рисунка на подложке повышается при уменьшении величины тока ионного пучка в диапазоне от 0.5 нА до 1 пА, при этом относительная погрешность формирования наноструктур снижается с 5.10 до 0.07. Результаты проведенных исследований могут быть использованы при разработке технологических процессов изготовления субмикронных структур и элементов наноэлектроники и наносистемной техники с использованием метода фокусированных ионных пучков.