ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА НА ИХ СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

14 сентября 2018
503
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации КОВАЛЕНКО ДМИТРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПЕТРОВ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ, КЛИНДУХОВ ВАЛЕРИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=22540230

Аннотация

Описана технология формирования тонких сегнетоэлектрических пленок циркона-та-титаната свинца (ЦТС) на окисленных кремниевых подложках методом высокочастотного реактивного распыления. Варьируемыми параметрами технологического процесса были: парциальное давление газа в камере, приложенная к электродам электрическая мощность и время формирования пленок. Методом рентгенофазового анализа определено количественное содержание кристаллической фазы в пленках ЦТС, а также влияние на это параметров технологического процесса. Наибольший вклад в количественное содержание кристаллов ЦТС в пленке вносит приложенная к электродам мощность. Методом растровой электронной микроскопии были проведены исследования механизма роста пленок ЦТС. Рост толщины сегнетоэлектрических пленок ЦТС составляет порядка 17 нм/мин и на поверхности окисленного кремния происходит по механизму Странски-Крастанова. Исследованы зависимости электрофизических свойств от технологических параметров формирования, а также зависимости значения угла диэлектрических потерь (∆φ) и величины поляризации от частоты поля.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.