ПРИМЕНЕНИЕ ЗОНДОВОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛЕНКИ ТИТАНА

Представлены экспериментальные исследования возможностей формировании оксидных наноразмерных структур на поверхности тонкой пленки титана при проведении локального анодного окисления в векторном и растровом режимах. Представлены результаты формирования макетов структур элементов наноэлектроники методом локального анодного окисления в векторном и растровом режимах на поверхности тонкой пленки титана. Исследовано влияние режимов работы атомно-силового микроскопа на процесс ЛАО поверхности тонкой пленки титана. Исследовано влияние длительности импульсов напряжения прикладываемого к системе зонд-подложка на геометрические параметры ОНС титана. Показано, что при увеличении длительности импульсов напряжения от 10 до 100 мс происходит увеличение высоты ОНС от 0,58±0,18 до 1,37±0,32 нм. С использованием растрового метода ЛАО в тонкой пленке титана были получены: макет матрицы из 25 мемристоров, а также макет элемента металлической наноэлектроники на основе наноразмерного канала проводимости с поперечными размерами около 10 нм. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов изготовления элементной базы наноэлектроники с применением зондовых нанотехнологий. Ключевые слова: НАНОТЕХНОЛОГИИ, NANOTECHNOLOGY, НАНОМАТЕРИАЛЫ, NANOMATERIALS, АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ, ATOMIC FORCE MICROSCOPY, ЛОКАЛЬНОЕ АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ, LOCAL ANODIC OXIDATION, ТОНКАЯ ПЛЕНКА ТИТАНА, THIN TITANIUM FILM, ОКСИДНЫЕ НАНОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ, OXIDE NANOSTRUCTURES, НАНОЛИТОГРАФИЯ, NANOLITHOGRAPHY