МОДЕЛЬ НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА GAAS МЕТОДОМ МЛЭ С УЧЁТОМ СООТНОШЕНИЯ ПОТОКОВ РОСТОВЫХ КОМПОНЕНТ

Изложена кинетическая модель гомоэпитаксиального роста GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на стадии зарождения и независимого роста островков, формирующих монослой (МС). Особенность модели заключается в учёте и количественной оценке влияния соотношения потоков мышьяка и галлия на характеристики двумерных островков GaAs. Показано, что при температуре 580 °C, скорости роста 0,05 МС/с и увеличении соотношения потоков V/III от 5 до 30 поверхностная плотность островков возрастает с 3∙10 10 до 1,8∙10 11 см -2. При этом средний размер островков уменьшается с 37 до 15 нм. Однако при меньших скоростях роста разница в размерах становится ещё более существенной. Показано, что увеличение соотношения потоков приводит к уменьшению разброса массива островков по размерам. Полученные результаты могут быть использованы при оптимизации технологических режимов эпитаксиального роста наногетероструктур A IIIB V. Ключевые слова: НАНОТЕХНОЛОГИИ, NANOTECHNOLOGY, НАНОСТРУКТУРЫ, NANOSTRUCTURES, НАНОМАТЕРИАЛЫ, NANOMATERIALS, ПОЛУПРОВОДНИКИ, SEMICONDUCTORS, МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ, MOLECULAR BEAM EPITAXY, АРСЕНИД ГАЛЛИЯ, GALLIUM ARSENIDE, СООТНОШЕНИЕ ПОТОКОВ V/III, V/III FLUX RATIO, КИНЕТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, KINETIC MODELING