МОДЕЛЬ НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА GAAS МЕТОДОМ МЛЭ С УЧЁТОМ СООТНОШЕНИЯ ПОТОКОВ РОСТОВЫХ КОМПОНЕНТ

14 сентября 2018
334
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Балакирев С.В., Блинов Ю.Ф., Солодовник М.С.
Ссылка на публикацию в интернете

Аннотация

Изложена кинетическая модель гомоэпитаксиального роста GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на стадии зарождения и независимого роста островков, формирующих монослой (МС). Особенность модели заключается в учёте и количественной оценке влияния соотношения потоков мышьяка и галлия на характеристики двумерных островков GaAs. Показано, что при температуре 580 °C, скорости роста 0,05 МС/с и увеличении соотношения потоков V/III от 5 до 30 поверхностная плотность островков возрастает с 3∙10 10 до 1,8∙10 11 см -2. При этом средний размер островков уменьшается с 37 до 15 нм. Однако при меньших скоростях роста разница в размерах становится ещё более существенной. Показано, что увеличение соотношения потоков приводит к уменьшению разброса массива островков по размерам. Полученные результаты могут быть использованы при оптимизации технологических режимов эпитаксиального роста наногетероструктур A IIIB V. Ключевые слова: НАНОТЕХНОЛОГИИ, NANOTECHNOLOGY, НАНОСТРУКТУРЫ, NANOSTRUCTURES, НАНОМАТЕРИАЛЫ, NANOMATERIALS, ПОЛУПРОВОДНИКИ, SEMICONDUCTORS, МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ, MOLECULAR BEAM EPITAXY, АРСЕНИД ГАЛЛИЯ, GALLIUM ARSENIDE, СООТНОШЕНИЕ ПОТОКОВ V/III, V/III FLUX RATIO, КИНЕТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, KINETIC MODELING
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.