ANALYSIS OF STRUCTURAL DEFECTS IN BORON-IMPLANTED SILICON SINGLE CRYSTALS ON THE BASIS OF THE RESULTS OF DOUBLE- AND TRIPLE-CRYSTAL X-RAY DIFFRACTOMETRY
14 сентября 2018
293
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | PETRAKOV A.P., TIKHONOV N.A., SHILOV S.V. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=13300186 |
Аннотация
X-RAY, DIFFRACTOMETRY
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.