ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ СУБМИКРОННОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ ГАЛЛИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

Представлены результаты экспериментальных исследований режимов субмикронного профилирования поверхности подложек фокусированным ионным пучком галлия. Для подложек кремния и арсенида галлия получены зависимости глубины травления от тока ионного пучка, от общего времени воздействия; угла наклона грани от тока ионного пучка, от значения параметра overlap, от общего времени воздействия; среднеарифметической шероховатости от тока ионного пучка, от значения параметра overlap, от времени воздействия ионного пучка в точке и от общего времени воздействия. Установлено, что минимальное значение среднеарифметической шероховатости для Si и GaAs достигается при значениях overlap 50 и 25 % соответственно. Показано, что угол наклона грани для структур на Si и GaAs возрастает в диапазоне значений тока 1 пА - 3 нА. Результаты экспериментальных исследований могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур и элементов микро- и наноэлектроники, интегральной оптоэлектроники с применением метода фокусированных ионных пучков Ключевые слова: НАНОТЕХНОЛОГИЯ, NANOTECHNOLOGY, НАНОДИАГНОСТИКА, ФОКУСИРОВАННЫЕ ИОННЫЕ ПУЧКИ, FOCUSED ION BEAMS, НАНОРАЗМЕРНОЕ ПРОФИЛИРОВАНИЕ, NANOSCALE PROFILING, НАНОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА, NANOSYSTEMS TECHNOLOGY, NANODIAGNOSTICS