ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ СУБМИКРОННОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ ГАЛЛИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

14 сентября 2018
220
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Коломийцев А.С.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=22540233

Аннотация

Представлены результаты экспериментальных исследований режимов субмикронного профилирования поверхности подложек фокусированным ионным пучком галлия. Для подложек кремния и арсенида галлия получены зависимости глубины травления от тока ионного пучка, от общего времени воздействия; угла наклона грани от тока ионного пучка, от значения параметра overlap, от общего времени воздействия; среднеарифметической шероховатости от тока ионного пучка, от значения параметра overlap, от времени воздействия ионного пучка в точке и от общего времени воздействия. Установлено, что минимальное значение среднеарифметической шероховатости для Si и GaAs достигается при значениях overlap 50 и 25 % соответственно. Показано, что угол наклона грани для структур на Si и GaAs возрастает в диапазоне значений тока 1 пА - 3 нА. Результаты экспериментальных исследований могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур и элементов микро- и наноэлектроники, интегральной оптоэлектроники с применением метода фокусированных ионных пучков Ключевые слова: НАНОТЕХНОЛОГИЯ, NANOTECHNOLOGY, НАНОДИАГНОСТИКА, ФОКУСИРОВАННЫЕ ИОННЫЕ ПУЧКИ, FOCUSED ION BEAMS, НАНОРАЗМЕРНОЕ ПРОФИЛИРОВАНИЕ, NANOSCALE PROFILING, НАНОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА, NANOSYSTEMS TECHNOLOGY, NANODIAGNOSTICS
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.