X-RAY REFLECTOMETRY AND ITS APPLICATION TO STUDYING THE LASER EVAPORATION OF AN OXIDE FILM FROM THE SILICON SURFACE
14 сентября 2018
324
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | PETRAKOV A.P. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=13423509 |
Аннотация
X-RAY
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.