К РЕШЕНИЮ ОБРАТНОЙ ЗАДАЧИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ НА ПЕРИОДИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРАХ INGAN/GAN/AL2O3

С учетом когерентного и диффузного рассеяния численно решена обратная задача рентгеновской дифракции на двух сверхрешетках Al2O3(0001)-GaN- (In0.03GaN-In0.1GaN)x5SL-AlGaN(20 nm), выращенных при близких технологических условиях. Получены детальные профили распределения деформации/состава и структурных дефектов в многослойных гетероструктурах, которые позволяют анализировать процессы эпитаксиального роста и дефектообразования в рассогласованных гетероструктурах блочного типа. Анализируются особенности дифракционного рассеяния рентгеновского излучения на таких структурах. Показано, что сходные ростовые процедуры не гарантируют получения одинаковых по структурным параметрам наномасштабных периодических систем сильно рассогласованных твердых растворов.