РАССЕЯНИЕ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА INGAN-НАНОСТРУКТУРАХ: ЭКСПЕРИМЕНТ И ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

14 сентября 2018
124
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ПУНЕГОВ В.И., КАЗАКОВ Д.В., ПАВЛОВ К.М., MUDIE S., TAKEDA Y., TABUCHI M.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=9175059

Аннотация

На основе численного моделирования экспериментальных спектров рассеяния жесткого рентгеновского синхротронного излучения исследованы системы с ультратонкими слоями InGaN. В рамках модели мозаичного кристалла получены структурные характеристики этих слоев.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.