РАССЕЯНИЕ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА INGAN-НАНОСТРУКТУРАХ: ЭКСПЕРИМЕНТ И ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
14 сентября 2018
369
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ПУНЕГОВ В.И., КАЗАКОВ Д.В., ПАВЛОВ К.М., MUDIE S., TAKEDA Y., TABUCHI M. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=9175059 |
Аннотация
На основе численного моделирования экспериментальных спектров рассеяния жесткого рентгеновского синхротронного излучения исследованы системы с ультратонкими слоями InGaN. В рамках модели мозаичного кристалла получены структурные характеристики этих слоев.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.