РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ САПФИРА ДЛЯ ОЦЕНКИ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ

14 сентября 2018
154
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации МАЛЮКОВ СЕРГЕЙ ПАВЛОВИЧ, КЛУННИКОВА ЮЛИЯ ВЛАДИМИРОВНА
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=19045469

Аннотация

Рассчитан градиент температур в кристаллах сапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. Применяется математическое моделирование в трехмерных координатах методом конечных объемов на неструктурированной сетке. Проведена оценка размеров и поведения газовых пузырьков вблизи фронта кристаллизации расплава сапфира. Результаты моделирования процессов в кристалле сапфира позволяют решать задачу получения кристаллов с пониженным уровнем дефектов.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.