РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ САПФИРА ДЛЯ ОЦЕНКИ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ
14 сентября 2018
265
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | МАЛЮКОВ СЕРГЕЙ ПАВЛОВИЧ, КЛУННИКОВА ЮЛИЯ ВЛАДИМИРОВНА |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19045469 |
Аннотация
Рассчитан градиент температур в кристаллах сапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. Применяется математическое моделирование в трехмерных координатах методом конечных объемов на неструктурированной сетке. Проведена оценка размеров и поведения газовых пузырьков вблизи фронта кристаллизации расплава сапфира. Результаты моделирования процессов в кристалле сапфира позволяют решать задачу получения кристаллов с пониженным уровнем дефектов.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.