EFFECT OF DURATION OF THERMAL DIFFUSION OF BORON ON SILICON STRUCTURE STUDIED BY TRIPLE-CRYSTAL X-RAY DIFFRACTOMETRY
14 сентября 2018
416
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | PETRAKOV A.P., SHILOV S.V., ZAǏNULIN G.G. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=13335367 |
Аннотация
SILICON, DIFFRACTOMETRY
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.