ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СВЕРХРЕШЕТКИ (INGA)AS/GAAS C ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ

14 сентября 2018
119
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации НЕСТЕРЕЦ Я.И., ПУНЕГОВ В.И., ПАВЛОВ К.М., ФАЛЕЕВ Н.Н.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=20500358

Аннотация

В рамках статистического подхода построена кинематическая теория дифракции рентгеновских лучей на полупроводниковой сверхрешетке с периодом из двух слоев. Данная теория учитывает два типа структурных искажений: нарушения кристаллической решетки, вызванные хаотически распределенными по толщине сверхрешетки микродефектами, а также нарушения периодичности дополнительного потенциала сверхрешетки из-за случайных отклонений толщин слоев ее периода от заданных значений. Используя численное моделирование, показано влияние структурных нарушений на формирование кривой дифракционного отражения. Результаты теории использованы для анализа экспериментальных рентгенодифракционных спектров полупроводниковой сверхрешетки InxGa1-xAs/GaAs.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.