ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СВЕРХРЕШЕТКИ (INGA)AS/GAAS C ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ

В рамках статистического подхода построена кинематическая теория дифракции рентгеновских лучей на полупроводниковой сверхрешетке с периодом из двух слоев. Данная теория учитывает два типа структурных искажений: нарушения кристаллической решетки, вызванные хаотически распределенными по толщине сверхрешетки микродефектами, а также нарушения периодичности дополнительного потенциала сверхрешетки из-за случайных отклонений толщин слоев ее периода от заданных значений. Используя численное моделирование, показано влияние структурных нарушений на формирование кривой дифракционного отражения. Результаты теории использованы для анализа экспериментальных рентгенодифракционных спектров полупроводниковой сверхрешетки InxGa1-xAs/GaAs.