ОСОБЕННОСТИ ГАЛЬВАНОСТАТИЧЕСКОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУР SI 3N 4-SI В НИТРАТНОМ ЭЛЕКТРОЛИТЕ НА ОСНОВЕ ЭТИЛЕНГЛИКОЛЯ
14 сентября 2018
205
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | МАХАРИНЕЦ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ, ВАРЗАРЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, МИЛЕШКО ЛЕОНИД ПЕТРОВИЧ |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=23342460 |
Аннотация
Предложены механизмы формирования анодных оксидных пленок кремния при гальваностатическом анодировании наноструктур нитрид кремния - кремний, учитывающие лимитирующую стадию образования промежуточного соединения оксида кремния и его последующее взаимодействие с нитрит-, нитрат- и гидроксид-анионами с образованием диоксида кремния.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.