ОСОБЕННОСТИ ГАЛЬВАНОСТАТИЧЕСКОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУР SI 3N 4-SI В НИТРАТНОМ ЭЛЕКТРОЛИТЕ НА ОСНОВЕ ЭТИЛЕНГЛИКОЛЯ

14 сентября 2018
145
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации МАХАРИНЕЦ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ, ВАРЗАРЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, МИЛЕШКО ЛЕОНИД ПЕТРОВИЧ
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=23342460

Аннотация

Предложены механизмы формирования анодных оксидных пленок кремния при гальваностатическом анодировании наноструктур нитрид кремния - кремний, учитывающие лимитирующую стадию образования промежуточного соединения оксида кремния и его последующее взаимодействие с нитрит-, нитрат- и гидроксид-анионами с образованием диоксида кремния.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.