ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ ФОРМИРОВАНИЯ ОКСИДНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ

Представлены результаты исследования влияния технологических режимов локального анодного окисления (ЛАО) на процесс формирования оксидных наноразмерных структур (ОНС) на поверхности арсенида галлия. Исследовано влияние амплитуды и длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, уровня относительной влажности воздуха в технологической камере и амплитуды колебаний кантилевера на геометрические параметры ОНС арсенида галлия. Установлено, что увеличение уровня относительной влажности с 60 до 90% приводит к снижению порогового напряжения ЛАО с 7,0 до 6,0 В. Показано, что увеличение амплитуды колебания с 0,1 до 2,8 нм приводит к уменьшению высоты ОНС от 3,20 ± 0,34 до 1,10 ± 0,13 нм и диаметра ОНС от 218,4 ± 29,5 нм до 78,1 ± 10,3 нм.