ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ ФОРМИРОВАНИЯ ОКСИДНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ

14 сентября 2018
154
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации АГЕЕВ ОЛЕГ АЛЕКСЕЕВИЧ, СМИРНОВ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ, СОЛОДОВНИК МАКСИМ СЕРГЕЕВИЧ, РУКОМОЙКИН АНДРЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, АВИЛОВ ВАДИМ ИГОРЕВИЧ
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=17675758

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния технологических режимов локального анодного окисления (ЛАО) на процесс формирования оксидных наноразмерных структур (ОНС) на поверхности арсенида галлия. Исследовано влияние амплитуды и длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, уровня относительной влажности воздуха в технологической камере и амплитуды колебаний кантилевера на геометрические параметры ОНС арсенида галлия. Установлено, что увеличение уровня относительной влажности с 60 до 90% приводит к снижению порогового напряжения ЛАО с 7,0 до 6,0 В. Показано, что увеличение амплитуды колебания с 0,1 до 2,8 нм приводит к уменьшению высоты ОНС от 3,20 ± 0,34 до 1,10 ± 0,13 нм и диаметра ОНС от 218,4 ± 29,5 нм до 78,1 ± 10,3 нм.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.