Особенности разработки процесса выращивания структур inaln/gan методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в свч-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
14 сентября 2018
235
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | БУРОБИН В.А.1, КАРГИН Н.И.2, КОНОВАЛОВ А.М.1, МАКАРОВ А.А.1, ЩУКА А.А.3 ; 1 ОАО «ГЗ «Пульсар» 2 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 3 Московский физико-технический институт (государственный университет) |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=22155270 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
УСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 2070-0784
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА, MICROWAVE ELECTRONICS, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS, НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, NANODIMENSIONAL HETEROSTRUCTURES
АННОТАЦИЯ:
Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Проведено сравнение материалов, используемых в качестве подложек, отражены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур InAlN/GaN. Показаны преимущества разрабатываемых структур по сравнению с используемым в настоящее время арсенидом галлия.
ПодробнееУСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 2070-0784
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА, MICROWAVE ELECTRONICS, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS, НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, NANODIMENSIONAL HETEROSTRUCTURES
АННОТАЦИЯ:
Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Проведено сравнение материалов, используемых в качестве подложек, отражены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур InAlN/GaN. Показаны преимущества разрабатываемых структур по сравнению с используемым в настоящее время арсенидом галлия.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.