Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
14 сентября 2018
425
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | БУРОБИН В.А.1, ВОЛОШИН А.Ю.1, КАРГИН Н.И.2, МАКАРОВ А.А.1, ЩУКА А.А.3 ; 1 ОАО «ГЗ «Пульсар» 2 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 3 Московский физико-технический институт (государственный университет) |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=22155272 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
УСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 2070-0784
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
НАНОТЕХНОЛОГИИ, NANOTECHNOLOGY, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, HETEROSTRUCTURES, СВЕТОДИОД, LIGHT-EMITTING DIODE
АННОТАЦИЯ:
Рассмотрены современные тенденции производства гетероэпитаксиальных структур для твердотельного освещения общего назначения. Приведены основные методы подготовки поверхности кремниевой пластины для эпитаксиального выращивания слоев InGaN/GaN. Предложены различные подходы к формированию буферных слоев GaN высокого качества.
ПодробнееУСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 2070-0784
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
НАНОТЕХНОЛОГИИ, NANOTECHNOLOGY, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, HETEROSTRUCTURES, СВЕТОДИОД, LIGHT-EMITTING DIODE
АННОТАЦИЯ:
Рассмотрены современные тенденции производства гетероэпитаксиальных структур для твердотельного освещения общего назначения. Приведены основные методы подготовки поверхности кремниевой пластины для эпитаксиального выращивания слоев InGaN/GaN. Предложены различные подходы к формированию буферных слоев GaN высокого качества.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.