Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения

14 сентября 2018
153
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации БУРОБИН В.А.1, ВОЛОШИН А.Ю.1, КАРГИН Н.И.2, МАКАРОВ А.А.1, ЩУКА А.А.3 ; 1 ОАО «ГЗ «Пульсар» 2 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 3 Московский физико-технический институт (государственный университет)
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=22155272

Аннотация

ЖУРНАЛ:


УСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 2070-0784

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


НАНОТЕХНОЛОГИИ, NANOTECHNOLOGY, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, HETEROSTRUCTURES, СВЕТОДИОД, LIGHT-EMITTING DIODE

АННОТАЦИЯ:

Рассмотрены современные тенденции производства гетероэпитаксиальных структур для твердотельного освещения общего назначения. Приведены основные методы подготовки поверхности кремниевой пластины для эпитаксиального выращивания слоев InGaN/GaN. Предложены различные подходы к формированию буферных слоев GaN высокого качества.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.