Моделирование резистивных переключений в гетероструктурах на основе оксидных соединений

14 сентября 2018
189
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ТУЛИНА Н.А.1, СИРОТКИН В.В.2, БОРИСЕНКО И.Ю.2, ИВАНОВ А.А.3 ; 1 Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка. 2 Учреждение Российской академии наук Институт проблем микроэлектроники и чистых веществ РАН, Черноголовка
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=18850589

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0367-6765

АННОТАЦИЯ:

Методом численного моделирования рассмотрено влияние неоднородного распределения электрического поля в интерфейсе гетероконтакта на эффект биполярного резистивного переключения в оксидных соединениях. Компьютерное исследование модели показало, что проводящий канал образуется в области края контакта, которая характеризуется сильным локальным повышением напряженности электрического поля. Проведенный расчет подтверждается низкотемпературными свойствами метастабильных фаз гетероконтактов на основе высокотемпературных сверхпроводников.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.