Моделирование резистивных переключений в гетероструктурах на основе оксидных соединений
14 сентября 2018
236
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Статья |
Контактные данные автора публикации | ТУЛИНА Н.А.1, СИРОТКИН В.В.2, БОРИСЕНКО И.Ю.2, ИВАНОВ А.А.3 ; 1 Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка. 2 Учреждение Российской академии наук Институт проблем микроэлектроники и чистых веществ РАН, Черноголовка |
Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=18850589 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0367-6765
АННОТАЦИЯ:
Методом численного моделирования рассмотрено влияние неоднородного распределения электрического поля в интерфейсе гетероконтакта на эффект биполярного резистивного переключения в оксидных соединениях. Компьютерное исследование модели показало, что проводящий канал образуется в области края контакта, которая характеризуется сильным локальным повышением напряженности электрического поля. Проведенный расчет подтверждается низкотемпературными свойствами метастабильных фаз гетероконтактов на основе высокотемпературных сверхпроводников.
ПодробнееИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0367-6765
АННОТАЦИЯ:
Методом численного моделирования рассмотрено влияние неоднородного распределения электрического поля в интерфейсе гетероконтакта на эффект биполярного резистивного переключения в оксидных соединениях. Компьютерное исследование модели показало, что проводящий канал образуется в области края контакта, которая характеризуется сильным локальным повышением напряженности электрического поля. Проведенный расчет подтверждается низкотемпературными свойствами метастабильных фаз гетероконтактов на основе высокотемпературных сверхпроводников.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.