ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ДВУМЕРНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В -ЛЕГИРОВАННЫХ ПСЕВДОМОРФНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ INGAAS/GAAS МЕТОДОМ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

14 сентября 2018
163
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ЯРЕМЕНКО Н.Г.1, ГАЛИЕВ Г.Б.2, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.3, КЛИМОВ Е.А.2, КАРАЧЕВЦЕВА М.В.1, СТРАХОВ В.А.1; 1 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Российская Федерация, 141190 Фрязино Московской обл., пл. Введенского, 1 2 Институт сверхвыс
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=18777846

Аннотация

ЖУРНАЛ:


РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0033-8494

АННОТАЦИЯ:


Определены концентрации двумерных электронов ns в модулированно-легированных PHEMT-структурах двумя фотолюминесцентными (ФЛ) методами: по полуширине полосы 1e-1hh и по энергетической дистанции EF E1e на экспериментальных спектрах ФЛ. Рассмотрены условия применимости этих методов, предложен способ определения энергии EF по температурной зависимости отношения интенсивностей полос 2e-1hh и 1e-1hh. Показано, что полученные значения ns хорошо согласуются с результатами холловских измерений при не слишком высоких концентрациях (ns 2.5 ? 1012), пока отсутствует параллельная проводимость по -слою, а при более сильном легировании эти ФЛ-методы дают более точные значения ns.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.