Oxygen doping of HTSC and resistive switching in HTSC-based heterostructures. SpringerPlus Volume 2, Issue 1, 2013, Pages 1-4

14 сентября 2018
145
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Tulina, N.A.a, Borisenko, I.Y.b, Ivanov, A.A.c , Ionov, A.M.a, Shmytko, I.M.a a Institute of Solid State Physics RAS, Chernogolovka, Russian Federation b Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RAS, Chernogolovka, Russi
Ссылка на публикацию в интернете www.scopus.com

Аннотация

The studies of the bipolar resistive switching effect in thin film heterojunctions (YBa2Cu3O7-δ/Ag) and (Nd2-xCexCuO4-y/Ag) have exhibited the role of oxygen as a doping element in hole- and electron-doped HTSC compounds.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.