ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МИКРОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ РАСЧЕТНО-АНАЛИТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ИЗГИБА МЕМБРАНЫ И ПОЛОЖЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ
14 сентября 2018
403
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ЯШАНИН И.Б.1, ИЕВЛЕВ И.В.1, КОНОНОВ С.В.1, АЗНАБАЕВ Р.Г.1, ХАРИТОНОВ В.А.2, БОЙЧЕНКО Д.В.3, ГРЕБЁНКИНА А.В.3 1 ФГУП "ФНПЦ "НИИИС им. Ю. Е. Седакова" 2 Госкорпорация "Росатом" 3 Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ "МИФИ |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20254741 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
НАНО- И МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА
Издательство: Издательство "Новые технологии" (Москва)
ISSN: 1813-8586
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
МСТ, MST, ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, SENSITIVITY, МПАД, ПОЛИКРЕМНИЕВАЯ МЕМБРАНА, POLYSILICON MEMBRANE, МОСТ УИНСТОНА, WINSTON BRIDGE, ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР, POLYSILICON TENZORESISTOR, САПР, CAD, АНАЛИЗАТОР МИКРОСИСТЕМ, MICROSYSTEM ANALYZER, MCAP
АННОТАЦИЯ:
Описан опыт использования анализатора микросистем для минимизации несоответствий между расчетными и реально получаемыми значениями чувствительности типового тензорезистивного микропреобразователя абсолютного давления, выполненного на основе базовой технологии поверхностной микромеханики.
ПодробнееНАНО- И МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА
Издательство: Издательство "Новые технологии" (Москва)
ISSN: 1813-8586
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
МСТ, MST, ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, SENSITIVITY, МПАД, ПОЛИКРЕМНИЕВАЯ МЕМБРАНА, POLYSILICON MEMBRANE, МОСТ УИНСТОНА, WINSTON BRIDGE, ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР, POLYSILICON TENZORESISTOR, САПР, CAD, АНАЛИЗАТОР МИКРОСИСТЕМ, MICROSYSTEM ANALYZER, MCAP
АННОТАЦИЯ:
Описан опыт использования анализатора микросистем для минимизации несоответствий между расчетными и реально получаемыми значениями чувствительности типового тензорезистивного микропреобразователя абсолютного давления, выполненного на основе базовой технологии поверхностной микромеханики.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.