ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МИКРОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ РАСЧЕТНО-АНАЛИТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ИЗГИБА МЕМБРАНЫ И ПОЛОЖЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

14 сентября 2018
149
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ЯШАНИН И.Б.1, ИЕВЛЕВ И.В.1, КОНОНОВ С.В.1, АЗНАБАЕВ Р.Г.1, ХАРИТОНОВ В.А.2, БОЙЧЕНКО Д.В.3, ГРЕБЁНКИНА А.В.3 1 ФГУП "ФНПЦ "НИИИС им. Ю. Е. Седакова" 2 Госкорпорация "Росатом" 3 Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ "МИФИ
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=20254741

Аннотация

ЖУРНАЛ:


НАНО- И МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА
Издательство: Издательство "Новые технологии" (Москва)
ISSN: 1813-8586

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


МСТ, MST, ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, SENSITIVITY, МПАД, ПОЛИКРЕМНИЕВАЯ МЕМБРАНА, POLYSILICON MEMBRANE, МОСТ УИНСТОНА, WINSTON BRIDGE, ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР, POLYSILICON TENZORESISTOR, САПР, CAD, АНАЛИЗАТОР МИКРОСИСТЕМ, MICROSYSTEM ANALYZER, MCAP

АННОТАЦИЯ:

Описан опыт использования анализатора микросистем для минимизации несоответствий между расчетными и реально получаемыми значениями чувствительности типового тензорезистивного микропреобразователя абсолютного давления, выполненного на основе базовой технологии поверхностной микромеханики.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.