МАКСИМАЛЬНАЯ ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ В СЕЛЕКТИВНО ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ INALAS/INGAAS/INALAS С ВВЕДЕННОЙ INAS-ВСТАВКОЙ

14 сентября 2018
233
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ШИЛЕНАС А.1, ПОЖЕЛА Ю.1, ПОЖЕЛА К.1, ЮЦЕНЕ В.1, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, ГАЛИЕВ Г.Б.3, ПУШКАРЕВ С.C.3, КЛИМОВ Е.А.3 1 Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, 01108 Вильнюс, Литва 2 Национальный исследовательский ядерный универ
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=20319390

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222

АННОТАЦИЯ:


Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2-4)·107 см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5·103 В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4.0·1012 см-2 максимальная дрейфовая скорость достигает 2·107 см/с в поле 7·103 В/см.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.