ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ НАПРЯЖЕННЫХ СВЕРХРЕШЕТОК, ВВЕДЕННЫХ В МЕТАМОРФНЫЙ БУФЕР, НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И АТОМНОЕ СТРОЕНИЕ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР INALAS/INGAAS
14 сентября 2018
448
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ГАЛИЕВ Г.Б.1, ПУШКАРЕВ С.С.1,2, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, ЖИГАЛИНА О.М.3, КЛИМОВ Е.А.1, ЖИГАЛИНА В.Г.3, ИМАМОВ Р.М.3 1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия 2 Национальный исследовательский |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20319416 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур --- один с линейным увеличением x в метаморфном буфере InxAl1-xAs, а второй --- с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур.
ПодробнееФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур --- один с линейным увеличением x в метаморфном буфере InxAl1-xAs, а второй --- с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.