ЗАМОРОЖЕННАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ IN0.52AL0.48AS/ IN0.53GA0.47AS/IN0.52AL0.48AS/INP

14 сентября 2018
217
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации КУЛЬБАЧИНСКИЙ В.А.1, ЛУНИН Р.А.1, ЮЗЕЕВА Н.А.1,2, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.3, ГАЛИЕВ Г.Б.2, КЛИМОВ Е.А.2 1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, 119991 ГСП-1, Москва, Россия 2 Институт с
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=20319491

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222

АННОТАЦИЯ:

Исследовано влияние ширины квантовой ямы L и легирования на зонную структуру, рассеяние и подвижность электронов в наногетероструктурах с изоморфной квантовой ямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As, выращенных на подложках InP. Из данных по эффекту Шубникова-де-Гааза получены квантовые и транспортные подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизированных примесях в исследуемых образцах является доминирующим. При температурах ниже 170 K обнаружена замороженная фотопроводимость, обусловленная пространственным разделением фотовозбужденных носителей заряда.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.