ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НОВЫХ КОНСТРУКЦИЙ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА INALAS НА ПОДЛОЖКАХ GAAS С РАСПРЕДЕЛЕННОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ

14 сентября 2018
132
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ГАЛИЕВ Г.Б.1, ПУШКАРЕВ С.С.1,2, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, КЛИМОВ Е.А.1, ИМАМОВ Р.М.3 1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия 2 Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ", 11540
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=20319501

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222

АННОТАЦИЯ:

Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера InxAl1-xAs за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.