ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НОВЫХ КОНСТРУКЦИЙ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА INALAS НА ПОДЛОЖКАХ GAAS С РАСПРЕДЕЛЕННОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ
14 сентября 2018
379
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ГАЛИЕВ Г.Б.1, ПУШКАРЕВ С.С.1,2, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, КЛИМОВ Е.А.1, ИМАМОВ Р.М.3 1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия 2 Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ", 11540 |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20319501 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера InxAl1-xAs за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.
ПодробнееФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера InxAl1-xAs за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.