ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ ALGAAS/INGAAS/ALGAAS C РАЗЛИЧНОЙ ГЛУБИНОЙ ЗАЛЕГАНИЯ
14 сентября 2018
384
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ХАБИБУЛЛИН Р.А.1, ГАЛИЕВ Г.Б.1, КЛИМОВ Е.А.1, ПОНОМАРЕВ Д.С.1, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, КУЛЬБАЧИНСКИЙ В.А.3, БОКОВ П.Ю.3, АВАКЯНЦ Л.П.3, ЧЕРВЯКОВ А.В.3, МАЛЬ ЦЕВ П.П.1 1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117 |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20319556 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mue достигается в образце с толщиной барьерного слоя Lb=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mue от глубины залегания квантовой ямы.
ПодробнееФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mue достигается в образце с толщиной барьерного слоя Lb=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mue от глубины залегания квантовой ямы.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.