ДИНАМИКА НОСИТЕЛЕЙ И ВЫНУЖДЕННЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ ТЕРАГЕРЦEВОГО ДИАПАЗОНА МЕЖДУ УРОВНЯМИ ЛАНДАУ В КАСКАДНЫХ СТРУКТУРАХ ИЗ КВАНТОВЫХ ЯМ GАAS/ALGAAS
14 сентября 2018
218
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ТЕЛЕНКОВ М.П.1,2, МИТЯГИН Ю.А.1, КАРЦЕВ П.Ф.3 1 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия 2 Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия 3 Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20323019 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
ISSN: 0367-3294
ИНФОРМАЦИЯ О ФИНАНСОВОЙ ПОДДЕРЖКЕ:
Работа выполнена при финансвой поддержке РФФИ (проекты N 08-02-92505-НЦНИЛ, 09-02-00671 и 12-02-00564), гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых-кандидатов наук (N МК-916.2009.2), гранта НИТУ "МИСиС" N 3400022 и Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009--2013 гг
АННОТАЦИЯ:
Изучено распределение электронов по уровням Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям GaAs/AlGaAs в условиях резонансно-туннельной накачки верхних подзон размерного квантования. Проведен численный расчет населенностей уровней Ландау в зависимости от скорости накачки (времени туннелирования), уровня легирования и напряженности магнитного поля. Продемонстрировано наличие инверсии населенности между первым уровнем Ландау первой подзоны и основным (нулевым) уровнем Ландау одной из верхних подзон в широкой непрерывной области магнитных полей. Исследовано влияние на распределение носителей различных механизмов рассеяния --- как двухчастичных (электрон-электронное рассеяние), так и одночастичных (рассеяние на акустических фононах и шероховатостях интерфейса). Найден способ преодоления запрета и достижения существенных значений дипольного матричного элемента для рассматриваемого инвертированного перехода. Работа выполнена при финансвой поддержке РФФИ (проекты N 08-02-92505-НЦНИЛ, 09-02-00671 и 12-02-00564), гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых-кандидатов наук (N МК-916.2009.2), гранта НИТУ "МИСиС" N 3400022 и Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009--2013 гг.
ПодробнееФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
ISSN: 0367-3294
ИНФОРМАЦИЯ О ФИНАНСОВОЙ ПОДДЕРЖКЕ:
Работа выполнена при финансвой поддержке РФФИ (проекты N 08-02-92505-НЦНИЛ, 09-02-00671 и 12-02-00564), гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых-кандидатов наук (N МК-916.2009.2), гранта НИТУ "МИСиС" N 3400022 и Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009--2013 гг
АННОТАЦИЯ:
Изучено распределение электронов по уровням Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям GaAs/AlGaAs в условиях резонансно-туннельной накачки верхних подзон размерного квантования. Проведен численный расчет населенностей уровней Ландау в зависимости от скорости накачки (времени туннелирования), уровня легирования и напряженности магнитного поля. Продемонстрировано наличие инверсии населенности между первым уровнем Ландау первой подзоны и основным (нулевым) уровнем Ландау одной из верхних подзон в широкой непрерывной области магнитных полей. Исследовано влияние на распределение носителей различных механизмов рассеяния --- как двухчастичных (электрон-электронное рассеяние), так и одночастичных (рассеяние на акустических фононах и шероховатостях интерфейса). Найден способ преодоления запрета и достижения существенных значений дипольного матричного элемента для рассматриваемого инвертированного перехода. Работа выполнена при финансвой поддержке РФФИ (проекты N 08-02-92505-НЦНИЛ, 09-02-00671 и 12-02-00564), гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых-кандидатов наук (N МК-916.2009.2), гранта НИТУ "МИСиС" N 3400022 и Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009--2013 гг.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.