| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ГУДКОВ В.А.1, КАРГИН Н.И.2, РЫЖУК Р.В.2, ВОЛОДИХИН Е.А.2, ПАВЛОВА Е.П.2 1 ФГУП НПП “Исток”, Фрязино, Московская обл. 2 Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20301161 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Исследовался процесс ионной компенсации (пассивации) карбид-кремниевых структур с мелкозалегающим pn переходом для изготовления диодов. Компенсация проводилась имплантацией ионов водорода, бора и кислорода в диапазоне доз 6.3 ? 10 12 3.1 ? 1016 ион/см2 при энергии 50 кэВ. Оценка степени компенсации проводилась измерением токов утечки получаемых таким образом диодов и их сравнением с токами утечки мезадиодов, изготовленных на тех же структурах. Показано, что зависимости токов утечки диодов от дозы облучения для всех использованных ионов имеют минимум, соответствующий наиболее глубокой компенсации свободных носителей радиационными дефектами. Термообработка облученных структур при температуре 500600°С резко увеличивает степень компенсации и приближает токи утечки “пассивированных” диодов к токам утечки мезадиодов.
ПодробнееВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Исследовался процесс ионной компенсации (пассивации) карбид-кремниевых структур с мелкозалегающим pn переходом для изготовления диодов. Компенсация проводилась имплантацией ионов водорода, бора и кислорода в диапазоне доз 6.3 ? 10 12 3.1 ? 1016 ион/см2 при энергии 50 кэВ. Оценка степени компенсации проводилась измерением токов утечки получаемых таким образом диодов и их сравнением с токами утечки мезадиодов, изготовленных на тех же структурах. Показано, что зависимости токов утечки диодов от дозы облучения для всех использованных ионов имеют минимум, соответствующий наиболее глубокой компенсации свободных носителей радиационными дефектами. Термообработка облученных структур при температуре 500600°С резко увеличивает степень компенсации и приближает токи утечки “пассивированных” диодов к токам утечки мезадиодов.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.