ЭЛЕКТРОННЫЕ ПОДВИЖНОСТИ В ИЗОМОРФНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ IN O.53 GA O.47 AS НА INP
14 сентября 2018
219
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | КУЛЬБАЧИНСКИЙ В.А.1, ЛУНИН Р.А.1, ЮЗЕЕВА Н.А.1, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, ГАЛИЕВ Г.Б.3, КЛИМОВ Е.А.3 1 Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова 2 Национальный ядерный университет «МИФИ» 3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой элект |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19960349 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0044-4510
АННОТАЦИЯ:
Исследовано влияние уровня легирования, освещения и ширины изоморфных квантовых ям Ino.52Alo.48As/Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4eAs, выращенных на подложках InP, на подвижность электронов. Обнаружена замороженная фотопроводимость при низких температурах. Рассчитаны зонные диаграммы и найдены оптимальные параметры для получения максимальной электронной подвижности. Из данных по эффекту Шубникова-де Гааза получены квантовые и транспортные величины подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизованных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизованных примесях в исследуемых образцах является при низких температурах доминирующим.
ПодробнееЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0044-4510
АННОТАЦИЯ:
Исследовано влияние уровня легирования, освещения и ширины изоморфных квантовых ям Ino.52Alo.48As/Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4eAs, выращенных на подложках InP, на подвижность электронов. Обнаружена замороженная фотопроводимость при низких температурах. Рассчитаны зонные диаграммы и найдены оптимальные параметры для получения максимальной электронной подвижности. Из данных по эффекту Шубникова-де Гааза получены квантовые и транспортные величины подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизованных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизованных примесях в исследуемых образцах является при низких температурах доминирующим.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.