ЭЛЕКТРОННЫЕ ПОДВИЖНОСТИ В ИЗОМОРФНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ IN O.53 GA O.47 AS НА INP

14 сентября 2018
160
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации КУЛЬБАЧИНСКИЙ В.А.1, ЛУНИН Р.А.1, ЮЗЕЕВА Н.А.1, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, ГАЛИЕВ Г.Б.3, КЛИМОВ Е.А.3 1 Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова 2 Национальный ядерный университет «МИФИ» 3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой элект
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=19960349

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0044-4510

АННОТАЦИЯ:

Исследовано влияние уровня легирования, освещения и ширины изоморфных квантовых ям Ino.52Alo.48As/Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4eAs, выращенных на подложках InP, на подвижность электронов. Обнаружена замороженная фотопроводимость при низких температурах. Рассчитаны зонные диаграммы и найдены оптимальные параметры для получения максимальной электронной подвижности. Из данных по эффекту Шубникова-де Гааза получены квантовые и транспортные величины подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизованных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизованных примесях в исследуемых образцах является при низких температурах доминирующим.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.