ПРОТОТИП МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ НА ОСНОВЕ МДМ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ HF XAL 1-XO Y С ПЕРЕМЕННЫМ СОСТАВОМ

14 сентября 2018
132
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ЧУПРИК А.А.1, БАТУРИН А.С.1, БУЛАХ К.В.1, ЕГОРОВ К.В.1, КУЗИН А.А.1, НЕГРОВ Д.В.1, ЗАЙЦЕВ С.А.1, МАРКЕЕВ А.М.1, ЛЕБЕДИНСКИЙ Ю.Ю.1,2, ГОРНЕВ Е.С.1,3, ОРЛОВ О.М.1,3, ЗАБЛОЦКИЙ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ1 1 Московский физико-технический институт (государственный ун
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=19425298

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
ISSN: 1684-1719

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, RESISTIVE SWITCH EFFECT, АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ, ATOMIC LAYER DEPOSITION, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ, NON-VOLATILE MEMORY, ОКСИД ГАФНИЯ, HAFNIUM OXIDE, RERAM

АННОТАЦИЯ:

Изготовлены и исследованы с точки зрения функциональности структуры, являющиеся прототипом ячеек энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных плёнках Hf xAl 1- xO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Изготовленные структуры моделируют размещение ячеек энергонезависимой памяти между слоями металлизации интегральных схем. Полученные функциональные параметры ячеек в части снижения напряжения записи и повышения скорости записи информации существенно превосходят параметры традиционной флэш-памяти.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.