ПРОТОТИП МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ НА ОСНОВЕ МДМ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ HF XAL 1-XO Y С ПЕРЕМЕННЫМ СОСТАВОМ
14 сентября 2018
193
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ЧУПРИК А.А.1, БАТУРИН А.С.1, БУЛАХ К.В.1, ЕГОРОВ К.В.1, КУЗИН А.А.1, НЕГРОВ Д.В.1, ЗАЙЦЕВ С.А.1, МАРКЕЕВ А.М.1, ЛЕБЕДИНСКИЙ Ю.Ю.1,2, ГОРНЕВ Е.С.1,3, ОРЛОВ О.М.1,3, ЗАБЛОЦКИЙ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ1 1 Московский физико-технический институт (государственный ун |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19425298 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
ISSN: 1684-1719
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, RESISTIVE SWITCH EFFECT, АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ, ATOMIC LAYER DEPOSITION, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ, NON-VOLATILE MEMORY, ОКСИД ГАФНИЯ, HAFNIUM OXIDE, RERAM
АННОТАЦИЯ:
Изготовлены и исследованы с точки зрения функциональности структуры, являющиеся прототипом ячеек энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных плёнках Hf xAl 1- xO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Изготовленные структуры моделируют размещение ячеек энергонезависимой памяти между слоями металлизации интегральных схем. Полученные функциональные параметры ячеек в части снижения напряжения записи и повышения скорости записи информации существенно превосходят параметры традиционной флэш-памяти.
ПодробнееЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Издательство: Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
ISSN: 1684-1719
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, RESISTIVE SWITCH EFFECT, АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ, ATOMIC LAYER DEPOSITION, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ, NON-VOLATILE MEMORY, ОКСИД ГАФНИЯ, HAFNIUM OXIDE, RERAM
АННОТАЦИЯ:
Изготовлены и исследованы с точки зрения функциональности структуры, являющиеся прототипом ячеек энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных плёнках Hf xAl 1- xO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Изготовленные структуры моделируют размещение ячеек энергонезависимой памяти между слоями металлизации интегральных схем. Полученные функциональные параметры ячеек в части снижения напряжения записи и повышения скорости записи информации существенно превосходят параметры традиционной флэш-памяти.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.