ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ЦЕНТРОВ ЭМИССИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ ПРИ ХОЛОДНОЙ НИЗКОПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ
14 сентября 2018
201
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | СИНЕЛЬНИКОВ Д.Н.1, МАРКИН А.И.2, КУРНАЕВ В.А.1, ЧЕРКОВЕЦ В.Е.2, СЫРОМЯТНИКОВ Н.И. 1 Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, Москва, Россия 2 Государственный Научный Центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19143766 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА И ИНЖИНИРИНГ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2079-5629
АННОТАЦИЯ:
В работе описаны эксперименты по визуализации центров низкополевой электронной эмиссии со специально подготовленного образца углеситаллового композита в предположении, что одними из источников эмиссии могут быть поры на поверхности. Анализ топографии эмиссионных центров с поверхности образца с помощью установки “Магнитный микроскоп” подтвердил это предположение, а также показал, что источником низкополевой эмиссии могут быть инородные диэлектрические включения.
ПодробнееЯДЕРНАЯ ФИЗИКА И ИНЖИНИРИНГ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2079-5629
АННОТАЦИЯ:
В работе описаны эксперименты по визуализации центров низкополевой электронной эмиссии со специально подготовленного образца углеситаллового композита в предположении, что одними из источников эмиссии могут быть поры на поверхности. Анализ топографии эмиссионных центров с поверхности образца с помощью установки “Магнитный микроскоп” подтвердил это предположение, а также показал, что источником низкополевой эмиссии могут быть инородные диэлектрические включения.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.