ВЛИЯНИЕ ПРОФИЛЯ СОСТАВА КВАНТОВОЙ ЯМЫ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА P-HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С ДВУСТОРОННИМ ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЕМ

14 сентября 2018
170
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.1, ВИНИЧЕНКО А.Н.1, ГРЕХОВ М.М.1, ГЛАДКОВ В.П.1, КАРГИН Н.И.1, СТРИХАНОВ М.Н.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=19143774

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X

АННОТАЦИЯ:

В работе реализована технология создания и изучены свойства гетероструктур с варизонной квантовой ямой в Р-НЕМТ гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высоким перепадом состава (до 1.5%/нм). Рассчитаны зонные профили гетероструктур с компенсацией изгиба дна квантовой ямы за счет неоднородного профиля состава слоя Iny(h)Ga1 - y(h)As. На выращенных образцах исследованы структурные и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Оптимизация профиля y(h) приводит как к увеличению подвижности, так и концентрации электронов. Эффект связан как с изменением зонного профиля дна квантовой ямы и ее эффективной глубины, так и с уменьшением рассеяния электронов за счет более симметричной формы электронной волновой функции в квантовой яме.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.