ВЛИЯНИЕ ПРОФИЛЯ СОСТАВА КВАНТОВОЙ ЯМЫ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА P-HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С ДВУСТОРОННИМ ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЕМ
14 сентября 2018
230
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.1, ВИНИЧЕНКО А.Н.1, ГРЕХОВ М.М.1, ГЛАДКОВ В.П.1, КАРГИН Н.И.1, СТРИХАНОВ М.Н. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19143774 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
В работе реализована технология создания и изучены свойства гетероструктур с варизонной квантовой ямой в Р-НЕМТ гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высоким перепадом состава (до 1.5%/нм). Рассчитаны зонные профили гетероструктур с компенсацией изгиба дна квантовой ямы за счет неоднородного профиля состава слоя Iny(h)Ga1 - y(h)As. На выращенных образцах исследованы структурные и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Оптимизация профиля y(h) приводит как к увеличению подвижности, так и концентрации электронов. Эффект связан как с изменением зонного профиля дна квантовой ямы и ее эффективной глубины, так и с уменьшением рассеяния электронов за счет более симметричной формы электронной волновой функции в квантовой яме.
ПодробнееВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
В работе реализована технология создания и изучены свойства гетероструктур с варизонной квантовой ямой в Р-НЕМТ гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высоким перепадом состава (до 1.5%/нм). Рассчитаны зонные профили гетероструктур с компенсацией изгиба дна квантовой ямы за счет неоднородного профиля состава слоя Iny(h)Ga1 - y(h)As. На выращенных образцах исследованы структурные и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Оптимизация профиля y(h) приводит как к увеличению подвижности, так и концентрации электронов. Эффект связан как с изменением зонного профиля дна квантовой ямы и ее эффективной глубины, так и с уменьшением рассеяния электронов за счет более симметричной формы электронной волновой функции в квантовой яме.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.