ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ АНСАМБЛЕЙ КВАНТОВЫХ КОЛЕЦ GAAS/ALGAAS И INGAAS/ALGAAS МЕТОДОМ КАПЕЛЬНОЙ ЭПИТАКСИИ

14 сентября 2018
403
Предметная область —
Выходные данные —
Ключевые слова —
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.1, ВИНИЧЕНКО А.Н.1, ЕРЕМИН И.С.1, ЖИГУНОВ Д.М.2, КАРГИН Н.И.1, СИБИРМОВСКИЙ Ю.Д.1, СТРИХАНОВ М.Н.1 1 Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва 2 Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=19143775

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X

АННОТАЦИЯ:

Реализован метод капельной эпитаксии в системах материалов InGaAs/AlGaAs с различным содержанием In. В сформированных ансамблях квантовых колец с высокой плотностью 30140 мкм-2 исследована зависимость свойств ансамбля от температуры роста, потока As, а также содержания In. С увеличением содержания In наблюдалось уменьшение плотности ансамбля и увеличение среднего размера квантовых колец. Спектры фотолюминесценции демонстрируют коротковолновый сдвиг энергии переходов в массиве квантовых колец, свидетельствующий о размерном квантовании. Показано, что капельная эпитаксия – гибкий и перспективный метод для создания ансамблей квантовых колец и других нульмерных наноструктур для целей опто- и наноэлектроники.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.