ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ АНСАМБЛЕЙ КВАНТОВЫХ КОЛЕЦ GAAS/ALGAAS И INGAAS/ALGAAS МЕТОДОМ КАПЕЛЬНОЙ ЭПИТАКСИИ

14 сентября 2018
156
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.1, ВИНИЧЕНКО А.Н.1, ЕРЕМИН И.С.1, ЖИГУНОВ Д.М.2, КАРГИН Н.И.1, СИБИРМОВСКИЙ Ю.Д.1, СТРИХАНОВ М.Н.1 1 Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва 2 Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=19143775

Аннотация

ЖУРНАЛ:


ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X

АННОТАЦИЯ:

Реализован метод капельной эпитаксии в системах материалов InGaAs/AlGaAs с различным содержанием In. В сформированных ансамблях квантовых колец с высокой плотностью 30140 мкм-2 исследована зависимость свойств ансамбля от температуры роста, потока As, а также содержания In. С увеличением содержания In наблюдалось уменьшение плотности ансамбля и увеличение среднего размера квантовых колец. Спектры фотолюминесценции демонстрируют коротковолновый сдвиг энергии переходов в массиве квантовых колец, свидетельствующий о размерном квантовании. Показано, что капельная эпитаксия – гибкий и перспективный метод для создания ансамблей квантовых колец и других нульмерных наноструктур для целей опто- и наноэлектроники.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.