ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА В СТРУКТУРЕ МЕ/(SIC)1 - X(ALN)X/SIC
14 сентября 2018
222
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | САФАРАЛИЕВ Г.К.1, БИЛАЛОВ Б.А.2, КУРБАНОВ М.К.3, КАРГИН Н.И.1, РАМАЗАНОВ Ш.М.3, ГУСЕВ А.С.1 1 Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва 2 Дагестанский государственный технический университет, Махачкала 3 Дагестанский государственн |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19143776 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
В работе представлены результаты исследований поведения потенциального барьера для носителей заряда в области фазового перехода Ме/(SiC)1 - x(AlN)x в зависимости от состава твердого раствора, концентрации примесей, плотности поверхностных состояний и типа химической связи в полупроводнике.
ПодробнееВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
В работе представлены результаты исследований поведения потенциального барьера для носителей заряда в области фазового перехода Ме/(SiC)1 - x(AlN)x в зависимости от состава твердого раствора, концентрации примесей, плотности поверхностных состояний и типа химической связи в полупроводнике.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.