РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ПРОЦЕССА ДИФФУЗИИ ПО ВАКАНСИОННОМУ МЕХАНИЗМУ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
14 сентября 2018
230
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ЛИТВИН Н.В.1, ЕРМОЛАЕВА Н.В.1 1 Волгодонский инженерно-технический институт НИЯУ МИФИ, Ростовская обл. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19143783 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Разработана математическая модель диффузии по вакансионному механизму в полупроводниковых структурах. В основе этой модели лежат феноменологические уравнения, учитывающие влияние внешних и внутренних полей. Получены выражения для коэффициентов диффузии через феноменологические коэффициенты, учтено влияние вакансионного ветра при диффузии в неоднородной по составу системе и эффекта Киркендалла при взаимной диффузии в бинарной системе.
ПодробнееВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Разработана математическая модель диффузии по вакансионному механизму в полупроводниковых структурах. В основе этой модели лежат феноменологические уравнения, учитывающие влияние внешних и внутренних полей. Получены выражения для коэффициентов диффузии через феноменологические коэффициенты, учтено влияние вакансионного ветра при диффузии в неоднородной по составу системе и эффекта Киркендалла при взаимной диффузии в бинарной системе.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.