ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ DICE ЭЛЕМЕНТОВ 65-НМ КМОП СТАТИЧЕСКИХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ С УЧЕТОМ ЭФФЕКТА КРАТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОТДЕЛЬНЫХ ЯДЕРНЫХ ЧАСТИЦ
14 сентября 2018
322
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | СТЕНИН В.Я.1, КАТУНИН Ю.В.1, СТЕПАНОВ П.В.1 1 Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва НИИ системных исследований РАН |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19143790 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Основным эффектом воздействия отдельных ядерных частиц на суб-100-нм КМОП логические элементы и ячейки памяти СБИС является кратное воздействие одной ядерной частицы на несколько чувствительных узлов логического элемента. Для КМОП триггеров и ячеек памяти DICE с проектной нормой TSMC65 нм проведено моделирование влияния разделения заряда между двумя и тремя узлами ячейки на критические характеристики сбоя. Установлена связь критических характеристик пар узлов и симметрии электрических связей транзисторов в ячейке. Взаимно чувствительные пары транзисторов в триггере DICE образуют две группы по четыре транзистора и эти группы должны быть разнесены на кристалле.
ПодробнееВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Основным эффектом воздействия отдельных ядерных частиц на суб-100-нм КМОП логические элементы и ячейки памяти СБИС является кратное воздействие одной ядерной частицы на несколько чувствительных узлов логического элемента. Для КМОП триггеров и ячеек памяти DICE с проектной нормой TSMC65 нм проведено моделирование влияния разделения заряда между двумя и тремя узлами ячейки на критические характеристики сбоя. Установлена связь критических характеристик пар узлов и симметрии электрических связей транзисторов в ячейке. Взаимно чувствительные пары транзисторов в триггере DICE образуют две группы по четыре транзистора и эти группы должны быть разнесены на кристалле.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.