ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА
14 сентября 2018
226
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | БЕЗОТОСНЫЙ И.Ю.1, ЖИЖИН К.Д.1, ШМЕЛЕВ C.C.1, БЕЖКО М.П. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=19051702 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА И ИНЖИНИРИНГ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2079-5629
АННОТАЦИЯ:
В данной статье проведены исследования параметров резонансно-туннельного диода (РТД), изготовленного на основе гетероструктуры GaAs/AlAs. Произведено измерение и анализ вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельного диода, параметров ВАХ и их температурные зависимости. Получено экспериментальное подтверждение зависимости параметров ВАХ РТД от температуры образца, а также зависимости температурных изменений параметров ВАХ от самой структуры РТД.
ПодробнееЯДЕРНАЯ ФИЗИКА И ИНЖИНИРИНГ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2079-5629
АННОТАЦИЯ:
В данной статье проведены исследования параметров резонансно-туннельного диода (РТД), изготовленного на основе гетероструктуры GaAs/AlAs. Произведено измерение и анализ вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельного диода, параметров ВАХ и их температурные зависимости. Получено экспериментальное подтверждение зависимости параметров ВАХ РТД от температуры образца, а также зависимости температурных изменений параметров ВАХ от самой структуры РТД.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.