ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ С УЧЕТОМ МЕЖЭЛЕКТРОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ

14 сентября 2018
242
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ЕЛЕСИН В.Ф.1, КАТЕЕВ И.Ю.2, СУКОЧЕВ А.Ю.1 1 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт РАН
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=18913098

Аннотация

ЖУРНАЛ:


РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ
Издательство: Парк-медиа (Москва)
ISSN: 1992-7223

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


РЕЗОНАНС, РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ, МЕЖЭЛЕКТРОННЫЙ, ДИОД, РТД, ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС

ИНФОРМАЦИЯ О ФИНАНСОВОЙ ПОДДЕРЖКЕ:


Работа поддержана Министерством образования и науки Российской Федерации в 2012 году и в плановом периоде 2013 и 2014 годов, проект № 2.5808.2011

АННОТАЦИЯ:

Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.