ВЛИЯНИЕ УРОВНЯ В СПЕЙСЕРЕ ЭМИТТЕРА НА ПИКОВЫЙ ТОК РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

14 сентября 2018
164
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ЕЛЕСИН В.Ф.1, РЕМНЁВ М.А.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=18913099

Аннотация

ЖУРНАЛ:


РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ
Издательство: Парк-медиа (Москва)
ISSN: 1992-7223

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


СПЕЙСЕР, ЭМИТТЕР, РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, ДИОД, ШРЕДИНГЕР, РЕЗОНАНС

ИНФОРМАЦИЯ О ФИНАНСОВОЙ ПОДДЕРЖКЕ:


Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования и науки Российской Федерации в 2012 году и в плановом периоде 2013 и 2014 годов. Проект № 2.5808.2011.

АННОТАЦИЯ:

При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.