РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ НА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ НИТРИДА ГАЛЛИЯ В ОАО «ГЗ «ПУЛЬСАР»
14 сентября 2018
306
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | БУРОБИН В.А.1, КАРГИН Н.И.2, КОНОВАЛОВ А.М.1, МАКАРОВ А.А.1, ПАШКОВ М.В.1, ТЫЧКИН Р.И.1 1 ОАО «ГЗ «Пульсар» 2 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20789463 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
НАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 1999-8465
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА, MICROWAVE ELECTRONICS, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS, НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, NANODIMENSIONAL HETEROSTRUCTURES
АННОТАЦИЯ:
Рассмотрены актуальные вопросы по созданию промышленной технологии производства мощных СВЧ-транзисторов на базе гетероструктур AlGaN/GaN. Показан выбор исходного материала подложек. Представлены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с оптимизацией значений концентрации и подвижности в слое двумерного электронного газа, а также методы контроля качества структур.
ПодробнееНАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 1999-8465
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА, MICROWAVE ELECTRONICS, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS, НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, NANODIMENSIONAL HETEROSTRUCTURES
АННОТАЦИЯ:
Рассмотрены актуальные вопросы по созданию промышленной технологии производства мощных СВЧ-транзисторов на базе гетероструктур AlGaN/GaN. Показан выбор исходного материала подложек. Представлены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с оптимизацией значений концентрации и подвижности в слое двумерного электронного газа, а также методы контроля качества структур.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.