РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ НА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ НИТРИДА ГАЛЛИЯ В ОАО «ГЗ «ПУЛЬСАР»

14 сентября 2018
225
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации БУРОБИН В.А.1, КАРГИН Н.И.2, КОНОВАЛОВ А.М.1, МАКАРОВ А.А.1, ПАШКОВ М.В.1, ТЫЧКИН Р.И.1 1 ОАО «ГЗ «Пульсар» 2 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=20789463

Аннотация

ЖУРНАЛ:


НАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ
Издательство: Издательство "Радиотехника" (Москва)
ISSN: 1999-8465

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА, MICROWAVE ELECTRONICS, ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS, НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, NANODIMENSIONAL HETEROSTRUCTURES

АННОТАЦИЯ:

Рассмотрены актуальные вопросы по созданию промышленной технологии производства мощных СВЧ-транзисторов на базе гетероструктур AlGaN/GaN. Показан выбор исходного материала подложек. Представлены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с оптимизацией значений концентрации и подвижности в слое двумерного электронного газа, а также методы контроля качества структур.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.