УКОРОЧЕНИЕ ДЛИТЕЛЬНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ – УВЕЛИЧЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРЯМОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ
14 сентября 2018
221
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ПЕТРАКОВ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ1, ФЕДЯЕВ ЮРИЙ СЕРГЕЕВИЧ2 1 НИЯУ МИФИ 2 ОАО «ПНК «Дедал» |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=20619307 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
СПЕЦТЕХНИКА И СВЯЗЬ
Издательство: Спецтехника и связь (Москва)
ISSN: 2075-7298
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ЭФФЕКТ ПОВЫШЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, EFFECT INCREASE OF INTERNAL PHOTOELECTRIC SENSITIVITY, ПОЛУПРОВОДНИК, SEMICONDUCTOR, МИКРО(НАНО)СЕКУНДНЫЕ ЭКСПОЗИЦИИ, РАСТРОВЫЕ РЕГИСТРАТОРЫ БЫСТРОПРОТЕКАЮЩИХ ПРОЦЕССОВ, RASTERRECORDER OF FAST PROCESS, ПИКО(ФЕМТО)СЕКУНДНЫЕ ЭКСПОЗИЦИИ, PICO(FEMTO)SECOND, MICRO(NANO)SECOND EXPOSURE
АННОТАЦИЯ:
На основе выявленного эффекта повышения фоточувствительности высокоомных полупроводников при микро(нано)секундных экспозициях расширен диапазон использования фотополупроводников - растровых регистраторов быстропротекающих процессов – до пико(фемто)секундных значений времен экспозиций.
ПодробнееСПЕЦТЕХНИКА И СВЯЗЬ
Издательство: Спецтехника и связь (Москва)
ISSN: 2075-7298
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ЭФФЕКТ ПОВЫШЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ, EFFECT INCREASE OF INTERNAL PHOTOELECTRIC SENSITIVITY, ПОЛУПРОВОДНИК, SEMICONDUCTOR, МИКРО(НАНО)СЕКУНДНЫЕ ЭКСПОЗИЦИИ, РАСТРОВЫЕ РЕГИСТРАТОРЫ БЫСТРОПРОТЕКАЮЩИХ ПРОЦЕССОВ, RASTERRECORDER OF FAST PROCESS, ПИКО(ФЕМТО)СЕКУНДНЫЕ ЭКСПОЗИЦИИ, PICO(FEMTO)SECOND, MICRO(NANO)SECOND EXPOSURE
АННОТАЦИЯ:
На основе выявленного эффекта повышения фоточувствительности высокоомных полупроводников при микро(нано)секундных экспозициях расширен диапазон использования фотополупроводников - растровых регистраторов быстропротекающих процессов – до пико(фемто)секундных значений времен экспозиций.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.