ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА ПРИБОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ALGAN/GAN
14 сентября 2018
260
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | КАРГИН Н.И.1, ГРОМОВ Д.В.1, КУЗНЕЦОВ А.Л.1, ГРЕХОВ М.М. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21136673 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Разработана технологическая схема и изготовлены транзисторные структуры на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) транзисторных структур, а также предельная частота усиления по току и предельная частота усиления по мощности. Транзисторные структуры подвергались облучению реакторными нейтронами с энергией до 4 МэВ и флюенсом 2 ? 1014 см-2. Показано, что ток стока и выходная мощность структур падает на 10%, а частота усиления по току и частота усиления по мощности уменьшаются на 20-25%.
ПодробнееВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЯДЕРНОГО УНИВЕРСИТЕТА МИФИ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2304-487X
АННОТАЦИЯ:
Разработана технологическая схема и изготовлены транзисторные структуры на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) транзисторных структур, а также предельная частота усиления по току и предельная частота усиления по мощности. Транзисторные структуры подвергались облучению реакторными нейтронами с энергией до 4 МэВ и флюенсом 2 ? 1014 см-2. Показано, что ток стока и выходная мощность структур падает на 10%, а частота усиления по току и частота усиления по мощности уменьшаются на 20-25%.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.