ОЦЕНКА МНОГОКРАТНЫХ СБОЕВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
14 сентября 2018
227
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ЧУМАКОВ А.И. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21148560 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты расчетного моделирования ионизационной реакции в элементах БИС при попадании отдельной заряженной частицы в его пассивную или активную области. В работе обоснованы условия возникновения многократных одиночных сбоев, которые формируются за счет диффузионных механизмов собирания избыточного заряда. Показано, что максимальная чувствительность БИС к многократным одиночным сбоям имеет место при попадании ядерной частицы в пассивные области, расположенные на равном удалении от места нахождения трека ядерной частицы.
ПодробнееМИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты расчетного моделирования ионизационной реакции в элементах БИС при попадании отдельной заряженной частицы в его пассивную или активную области. В работе обоснованы условия возникновения многократных одиночных сбоев, которые формируются за счет диффузионных механизмов собирания избыточного заряда. Показано, что максимальная чувствительность БИС к многократным одиночным сбоям имеет место при попадании ядерной частицы в пассивные области, расположенные на равном удалении от места нахождения трека ядерной частицы.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.