ОЦЕНКА МНОГОКРАТНЫХ СБОЕВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

14 сентября 2018
139
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ЧУМАКОВ А.И.
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=21148560

Аннотация

ЖУРНАЛ:


МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269

АННОТАЦИЯ:

Представлены результаты расчетного моделирования ионизационной реакции в элементах БИС при попадании отдельной заряженной частицы в его пассивную или активную области. В работе обоснованы условия возникновения многократных одиночных сбоев, которые формируются за счет диффузионных механизмов собирания избыточного заряда. Показано, что максимальная чувствительность БИС к многократным одиночным сбоям имеет место при попадании ядерной частицы в пассивные области, расположенные на равном удалении от места нахождения трека ядерной частицы.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.