ВЛИЯНИЕ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО РАЗМЕЩЕНИЯ ЯЧЕЕК В МИКРОСХЕМАХ ПАМЯТИ НА КРАТНОСТЬ СБОЕВ ОТ ТЗЧ
14 сентября 2018
216
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | БОРУЗДИНА А.Б.1, ГРИГОРЬЕВ Н.Г.1, УЛАНОВА А.В. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21148561 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269
АННОТАЦИЯ:
Проведен анализ факторов, влияющих на сбоеустойчивость микросхем памяти. Рассмотрены различные топологические конфигурации 6-транзисторных ячеек памяти. Определены две конфигурации ячеек, наиболее чувствительные к эффекту многократных сбоев.
ПодробнееМИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269
АННОТАЦИЯ:
Проведен анализ факторов, влияющих на сбоеустойчивость микросхем памяти. Рассмотрены различные топологические конфигурации 6-транзисторных ячеек памяти. Определены две конфигурации ячеек, наиболее чувствительные к эффекту многократных сбоев.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.